电子元器件静电敏感度的分级

按QJ 1875规定的敏感度试验方法进行分级。

    1级（ £ 1999V）ESDS元器件

    a) 微波器件（肖特基二极管，点接触二极管和f > 1Ghz的检波二极管）；

    b) MOS场效应晶体管（MOSFET）；

    c) 结型场效应晶体管（JFET）；

    d) 声表面波器件（SAW）；

    e) 电荷耦合器件（CCD）；

    f) 精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于0.5%）；

    g) 运算放大器（OP  AMP）；

    h) 集成电路（IC）；

    i) 混合电路（1级ESDS元件组成）；

    j) 特高速集成电路（VHSIC）；

    k) 薄膜电阻器；

    l 可控硅整流器（SCR）（环境温度100℃ 时，I₀< 0.175A）。

    2级（2000～3999V）ESDS元器件

    a) MOS场效应晶体管；

    b) 结型场效应晶体管；

    c) 运算放大器；

    d) 集成电路；

    e) 特高速集成电路；

    f) 精密电阻网络（RZ型）；

    g) 混合电路（2级ESDS元件组成）；

    h) 低功率双极型晶体管（P_t £ 100mV，I₀< 100mA）。

    3级（4000～15999V）ESDS元器件

    a) MOS场效应晶体管；

    b) 结型场效应晶体管；

    c) 运算放大器；

    d) 集成电路；

    e) 特高速集成电路；

    f) ESDS1级或2级不包括的所有其它微电子器件；

    g) 小信号二极管（P < 1W或I₀< 1A）；

    h) 一般硅整流器；

    i) 可控硅整流器（I₀> 0.175A）；

    j) 小功率双极型晶体管（350mW > P_t > 100mV 和400mA > I₀ > 100mA）；

    k) 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；

    l) 片状电阻器；

    m) 混合电路（3级ESDS元器件组成）；

    n) 压电晶体。