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ESD常识

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ESD知识(二十三)
日期:2014/5/22 访问:

 

电子元器件静电敏感度的分级

按QJ 1875规定的敏感度试验方法进行分级。

    1级( £ 1999V)ESDS元器件

    a) 微波器件(肖特基二极管,点接触二极管和f > 1Ghz的检波二极管);

    b) MOS场效应晶体管(MOSFET);

    c) 结型场效应晶体管(JFET);

    d) 声表面波器件(SAW);

    e) 电荷耦合器件(CCD);

    f) 精密稳压二极管(线性或负载电压调整率小于0.5%);

    g) 运算放大器(OP  AMP);

    h) 集成电路(IC);

    i) 混合电路(1级ESDS元件组成);

    j) 特高速集成电路(VHSIC);

    k) 薄膜电阻器;

    l 可控硅整流器(SCR)(环境温度100℃ 时,I0< 0.175A)。

 

    2级(2000~3999V)ESDS元器件

    a) MOS场效应晶体管;

    b) 结型场效应晶体管;

    c) 运算放大器;

    d) 集成电路;

    e) 特高速集成电路;

    f) 精密电阻网络(RZ型);

    g) 混合电路(2级ESDS元件组成);

    h) 低功率双极型晶体管(Pt £ 100mV,I0< 100mA)。

 

    3级(4000~15999V)ESDS元器件

    a) MOS场效应晶体管;

    b) 结型场效应晶体管;

    c) 运算放大器;

    d) 集成电路;

    e) 特高速集成电路;

    f) ESDS1级或2级不包括的所有其它微电子器件;

    g) 小信号二极管(P < 1W或I0< 1A);

    h) 一般硅整流器;

    i) 可控硅整流器(I0> 0.175A);

    j) 小功率双极型晶体管(350mW > Pt > 100mV 和400mA > I0 > 100mA);

    k) 光电器件(光电二极管、光电晶体管、光电耦合器);

    l) 片状电阻器;

    m) 混合电路(3级ESDS元器件组成);

    n) 压电晶体。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
 
 
 

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