矢量文件 (Vector File)
一个程序或一个程序输入文件，包含了一连串许多矢量，用于确定在输入插脚达到功能状态要求时，所必需改变的时序。
垂直层流 (Vertical laminar flow)
一个垂直方向的非紊流气流。
输入逻辑高电压 (Vih)
使一个数字输入引线到逻辑高“1”的偏置电压。
输入逻辑低电压 (Vil)
使一个数字输入引线到逻辑低“0”的偏置电压。
电压抑制 (Voltage suppression)
按照公式V = Q/C，要使带电物体的电压 (V) 减少，用增加它的电容 (C) 比减少它的电荷 (Q) 要好。注：当一个带电的物体靠近地的时候，电压抑制典型地重现。
静电耗散材料的体积电阻 (Volume resistance of static dissipative materials)
在两个电极之间，或在下部用一个指定的结构，接触材料或物体的相对两侧，测试规定的直流电压与流过电流的比。静电耗散材料的体积电阻以欧姆表示。
体积电阻率 (Volume resistivity)
材料每单位厚度直流电压与通过的每单位面积电流量的比。体积电阻率设定为欧姆-厘米。
工作面接地点 (Worksurfaces groundable point)
工作面上的一个点，准备在工作面到适当的电气地之间，提供一个电气连接。
工作面电离（以前的桌面电离）(Worksurface ionization (formerly tabletop ionization))
用以在工作站控制静电荷的离子化装置或系统。注：这个类型包括长工作台顶端离子发生器、工作面顶部离子发生器和层流罩离子发生器。
腕带 (Wrist strap)
一个组合器械，包括一个腕套和提供人体皮肤到地的电气连接接地软线。
腕带系统 (Wrist strap system)
当一条腕带被一个人适当地戴上时，其电气路径包括人、腕套和接地软线。
温塞奇-贝尔模型 (Wunsch-bell model)
半导体结的热失效模型，结的厚度假定可以忽略，并且由于散热限制了结温度的上升。
译者注：见 (D.C.Wunsch, R.R.Bell, Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse., IEEE Trans. Nuc. Sci.,Vol. NS-17, Dec. 1970)。
嚓（通俗语）(Zap (colloquial term))
见静电放电 (electrostatic discharge)。

静电放电敏感性标志 (Electrostatic discharge susceptibility symbol)
为了识别静电放电敏感性产品，放置在硬件、部件和文件上的图形。
静电放电敏感产品 (Electrostatic discharge susceptible item)
具有静电放电敏感性级别的电气或电子零部件、装置、组件、部件或设备。
静电放电耐压 (Electrostatic discharge withstand voltage)
不引起元件失效的最大静电放电级别。
静电场 (Electrostatic field)
由于电荷的存在，在空间产生的吸引或推斥力量。
静电位 (Electrostatic potential)
一个点和一个基准之间的电压差。
静电屏蔽 (Electrostatic shield)
用一件屏障物或封装物来限制静电场的穿透。
静电学 (Electrostatics)
研究静电荷和它作用的学科。
发射器 (Emitter)
导电的尖锐物体，通常是针或金属丝，当保持在高电位的时候，将会引起电晕放电。