ESD 对元器件的损害后果导致 “硬击穿” 或 “软击穿”

硬击穿

      所谓“硬击穿”是一次性造成芯片内热二次击穿、金属喷键熔融、介质击穿、表面击穿、体积击穿等，使集成电路彻底损坏、永久性失效。当静电放电能量达到一定值时，足以引起塑劫“集成电路的爆炸，使其芯片完全烧毁裸露，造成人身伤害、设备故障、耗费增加。
     硬击穿特征明显，一般来说，可以在器件、组装件或插件板出厂交货之前检查出来。

软击穿

     “软击穿(软失效)” 是造成器件的性能劣化或参数指标下降，但还没有完全损坏而形成隐患，在最后质量检验中很难被发现。在使用时，静电造成的电路潜在损伤会使其参数变化、品质劣化、寿命降低、使设备运行一段时间后，随温度、时间、电压的变化，出现各种故障，不能正常工作，即“软失效”。

     如果受损的芯片属于一些重要的控制系统，如网络中心控制系统、自动播出控制系统、生产调度控制中心、电子作战指挥系统、自动导航系统、火箭发射控制系统等，其造成的危害有时是难以预料的，这潜在的损伤，实际上具有更大危害，造成的直接和间接损失更为严重。

软击穿不易察觉，具有潜在隐蔽的特点，危害更大

     另外静电感应和静电放电时产生的电磁脉冲也有一定危害。静电放电一般产生频带为几百KHz ~ 几十MHz、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰，可使静电敏感器件( Static Sensitive Device简称SSD) 破坏。

     在静电危害的几种类型中，ESD损害尤为突出，其突出特点是随机性和不易察觉性

     ※ 人没有感觉到放电就已造成了静电损伤；

     ※ 不易被检测出来

有关资料证明，ESD引起的器件损伤，90 为潜在性的软击穿损伤，10 为立即失效的损伤类型。